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标题: [问题]据说从晶圆中心切下的硅晶,更容易超频,为什么? [打印本页]

作者: wuyuetiger 时间: 2004-6-14 23:25 标题: [问题]据说从晶圆中心切下的硅晶,更容易超频,为什么?

如题

作者: lhblxw 时间: 2004-6-16 08:10

你是从那里听说的！听起来好象是有点道理，不过真是这样的吗？？？

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我最爱CPU超频了，有谁比我更爱吗？

作者: XiongGQ 时间: 2004-6-16 08:55

有点道理，象CRT显示器，中间的比四周的聚焦要好，做晶圆应该也差不多吧，都是透镜原理，只不过显象管是电子透镜，光刻机的是光学透镜吧。

作者: wuyuetiger 时间: 2004-6-16 12:04

我是从某杂志上看来的，现在找不到出处了

当时讨论的是AMD的64位芯片，据说看CPU的编号部分能区分CPU的die是位于晶圆的具体位置，那部分的数字越小就越接近晶圆中心

作者: mauriceliu 时间: 2004-6-16 15:45

以下是引用XiongGQ在2004-6-16 8:55:59的发言： 有点道理，象CRT显示器，中间的比四周的聚焦要好，做晶圆应该也差不多吧，都是透镜原理，只不过显象管是电子透镜，光刻机的是光学透镜吧。

有点不着四六，呵呵

作者: 硬件风云 时间: 2004-6-16 16:13

以下是引用wuyuetiger在2004-6-14 23:25:54的发言：

如题

这可以从硅晶圆的生产难度解释。

现在好象是12英寸了吧，记得懂事时我国生产出6英寸硅单晶曾大大宣传一番，可见越大越难做，且需要更苛刻的温度压力触媒等吧，所以晶圆中心的硅原子（晶格？）的亲和度要比边上的高，所以超频能力要强。

作者: wuyuetiger 时间: 2004-6-16 16:44

20英寸的晶圆要量产了吧,xiongGQ一点没说错,CPU靠光刻技术烧刻出来的,就是用的紫外线和复杂的透镜系统(现在有新技术是用平面镜的),一台光刻机可是价值不菲.既然用了透镜,那中央的误错应该相对小点的,成品率会高.再成熟的光刻技术都会产生一定量的废品或次品,原因就是空气中的杂质所致.

作者: 硬件风云 时间: 2004-6-16 17:51

看来不能想当然[em01]

作者: CHTH 时间: 2004-6-16 21:28

[em06][em06][em06][em06]

作者: wuyuetiger 时间: 2004-6-16 23:20

以下是引用wuyuetiger在2004-6-16 16:44:59的发言： 20英寸的晶圆要量产了吧,xiongGQ一点没说错,CPU靠光刻技术烧刻出来的,就是用的紫外线和复杂的透镜系统(现在有新技术是用平面镜的),一台光刻机可是价值不菲.既然用了透镜,那中央的误错应该相对小点的,成品率会高.再成熟的光刻技术都会产生一定量的废品或次品,原因就是空气中的杂质所致.

记错了,确实是12英寸的晶圆,现在的技术还造不了20英寸的,12英寸相当于300毫米

作者: mauriceliu 时间: 2004-6-17 00:33

应该和单晶硅结晶品质有关，和光刻没什么关系吧？

作者: wuyuetiger 时间: 2004-6-17 12:27

以下是引用mauriceliu在2004-6-17 0:33:24的发言：

应该和单晶硅结晶品质有关，和光刻没什么关系吧？

你说的有道理的，我现在觉得晶圆的制作工艺，导致晶圆中心的晶体品质较高（晶体均匀）有关。但也只是设想，有待进一步讨论和相关材料佐证

作者: pcix 时间: 2004-6-17 16:51

不太准确的说.硅晶体是从一个小的种子慢慢旋转长大的,越到后面硅晶体越有可能因为各种因素造成晶体内部结构不够一致.

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