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标题: 如何加速你的内存 [打印本页]

作者: LEO 时间: 2004-1-19 20:07 标题: 如何加速你的内存

转自 Tom's硬件指南 http://www.gb.tomshardware.com/howto/03q3/030724/index.html

简介

官方说法：DDR400 RAM已经是目前的正式标准。在JEDEC（美国半导体协会）的会议中已经做出决定，而内存与主板制造商也终于在整合过程中有了方向。DDR400，也就是PC3200 RAM一直受到不兼容的问题困扰，以及缺乏操作性的改善而为人诟病。如果没有任何正式的官方标准背书，那么你想要找到内存与主板间的完美匹配就如同盲人骑瞎马一样。

一般公认的是，运行快速的DDR400 RAM并非毫无瑕疵。如果把旧式的DDR-1技术跟现在的400 MHz内存频率频率相比，就像小虾米与大鲸鱼相比。而DDR-2技术发布之后，所提供的是内存芯片组完全的新型设计，不仅改变了主板的配置，而且降低了信号电压，这也意味着频率最高可以到达667 MHz。一直到2003年底，应该不会有其它新的技术出现。而现在，你可以将BIOS设置调整到优化状态，以便利用DDR400 RAM的所有能量，或者是解决稳定性的问题。

旧系统也可以从这种新的内存模块上得到好处。即使你的DDR400模块没有办法在最高400 MHz的内存总线频率运行，你仍然可以在较低的频率下调整时序（Timing）参数，以达到最大的性能。要达到这个目标，较快速度的内存模块是不二之选。另外，经常使用的方法是，减少你的CAS Latency（行地址控制器延迟）或是RAS-to-CAS Delay（列地址控制器至行地址控制器延迟）时间，这样所提升的系统速度，甚至比你砸下大笔银子在内存总线上所可以提升的速度还要快。在这篇文章中，我们将会解释有关内存时间的一些概念与技术，并提供大家一些调整上的建议。而我们所提供的信息也可以适用在DDR333或是DDR266标准的内存上，以方便你调校任何一种系统。

作者: LEO 时间: 2004-1-19 20:07

模块的调整

使用超频模块时，频率与时序都会比较快。例如金士顿所制造的PC3500模块的速度最快可以达到433 MHz。

你可以从一些超越DDR400标准的特殊调整模块开始着手，这种特殊模块为频率和时序提供了特别高的设置值。你可以从Corsair、Geil、Kingston（金士顿）、Mushkin以及其它厂商所生产的PC3500或是PC3700模块中找到这种特殊调整模块。因为属于这些特殊模块的标准实际上并不存在，因此这些模块的型号就代表了模块本身可以超频的范围。

不过，你必须使用支持双通道的主板才能感受到DDR RAM的威力，因为它可以将两个DDR模块的内存带宽相加在一起。目前，支持AMD（超微）处理器的主板所使用的是Nvidia的nForce 2芯片组，而支持Intel（英特尔）处理器的主板所使用的是Intel 7205（未来将是865和875）芯片组。

有一个重点你要抓住，你必须使用两个内存模块。BIOS经常在RAM的时序上作控制，以保持系统的稳定，这是大多数的所谓优化设置的情况。事实上，RAM的制造商，如Corsair和Geil在销售时，甚至专为双通道系统提供了成对匹配的内存模块。

作者: LEO 时间: 2004-1-19 20:08

如果你的系统比较老旧的话，那么使RAM模块变得更快的方式就是增加你的内存总线频率。例如，你可以在一块支持超微处理器，并使用VIA（威盛）KT333或是KT400芯片组的主板上安装DDR400内存。虽然芯片组本身并不正式支持这个新的RAM标准，但是你还是可以在BIOS列表中找到可调整的选项，并将频率从DDR333调整到DDR400这个等级。

如果系统在内存频率为400 MHz下显得不稳定，那么你就可以不用再对频率作精细的调校。内存频率和前端总线频率是一致的，而且只能做大量值的调整，例如从DDR333调整到DDR400。调整动作的本身一般说来和前端总线的频率比值息息相关；3/3就等于DDR333在前端总线的频率为333 MHz，而4/3代表了DDR400的内存频率频率。当RAM的频率以小量调升时，你必须以锁定步进（Lock-Step）的方式来增加前端总线的频率。

从另外一方面来说，在超微Athlon XP系统中，逐渐增加内存频率的优点其实很少。事实上，如果你将内存频率设置在400 MHz，而前端总线设置在333 MHz的话，反而会将整体的性能拖慢。但是，如果你在BIOS中设置适当的时序参数，你会发现性能的表现要好得多。

作者: LEO 时间: 2004-1-19 20:08

时序的重要性一如总线频率

时序的设置对RAM性能的重要性就跟总线频率一样。毕竟，一旦数据由RAM芯片读取，而且读取的速度够快的话，数据总线就只能在大带宽的情况下利用。而且，当数据被不同的内存区域读取时，很多的程序都有可能将数据流停止。内存的时序就是定义了所有独立的步骤所需的速度，包括了存取RAM在内。花一些时间将这些设置值作优化肯定是值得的，因为你可以将系统的操作性最多增加10%。更重要的是，将时序设置值作好优化比起增加你的总线频率，所得到的好处要更多。高品质的DDR333 RAM配合快速的时序，其表现可以优于作一般的时序设置，并增加总线频率的DDR400模块。

当你调整你的内存时，第一步就是将自动RAM设置关闭。当这个功能激活的时候，主板会读取位于内存模块上的SPD（Serial Presence Detect）芯片，以获得有关时序和频率的信息，并且根据所获得的数据来调整设置。但是这些设置，也就是RAM制造商储存在EEPROM芯片中的设置是比较保守的，因为要确保整个操作尽可能在各种系统中的稳定性。当你使用手动设置时，你就可以为你自己的系统来作设置。在大部分的情况中，即使你超过了制造商所设置的标准，RAM模块仍然可以保持在稳定的状态。

如果你的内存模块属于廉价品，那么你更应该好好检查一下你的时序设置。一般的内存制造商最有名的就是在制造过程的不确定性，并且在SPD芯片中烧入错误的信息。于是，受害的消费者只好在乏善可陈的性能或是系统当机之中挣扎，而且也不知道到底为什么会发生这种情况。

作者: LEO 时间: 2004-1-19 20:09

最重要的CL设置

在RAM时序中，最重要的就是CAS Latency（CL）、RAS-to-CAS Delay：tRCD 以及RAS Precharge Time（列地址控制器预充电时间）：tRP这三项参数。许多内存模块都有规格设置，例如PC2700-2.0-2-2.0或是PC3200-3.0-3-3.0。在这些有点神秘的数字中，第一个数字是用来描述内存类型，后面的三个数字则是这个内存的时序。有些制造商则是只有列出CAS Latency，像是CL 2.0或是CL 3.0。由于这三个有关内存时序的参数相当重要，所以对消费者来说，看不到这些参数可以说是很不方便，因为每一项参数对于系统性能都有相当的影响。

如果你想要知道这个影响有多大，你可以看一下MPEG4-encoding的性能测试。我们在这篇文章的最后，就在标题“如何在BIOS之中调整你的RAM”之下，摘录了有关最重要的时序参数设置值，以及一些简短的解释和提示。如果你找不到你的RAM品牌有关性能设置的信息，你可以在互联网上参考相关的技术资料（请参看“RAM制造商”）。

如果你想要对时序参数有更进一步的了解，你应该要学习所有关于存取内存的知识。“RAM时序”表可以给你一个概念，让你了解它是怎么工作的。当主板芯片组中的控制器选择了包含数据的内存模块时，一个读取的程序开始作初始化。控制器指向模块中的控制芯片，以及芯片中所拥有的数据。芯片的单元是以矩阵（Matrix）方式作排列，并形成行和列的地址。每个交叉点代表了一个内存位。

作者: LEO 时间: 2004-1-19 20:09

进入矩阵之中

内存控制器首先送出单元的列地址，作为模块逻辑的寻址使用。经过一段时间，tRCD（RAS-to-CAS Delay）之后，模块会将列的内容作暂存。在现代的RAM芯片上，这样的程序将会花上两个或三个时钟循环。你甚至可以看到分数的循环，像2.5个时钟循环（CL2.5），因为DDR RAM可以在频率信号的上升和下降的边缘送出控制与数据的信号，也就是每个时钟循环中送出两次信号。

当列的内容被送去暂存之后，控制器将会送出CAS信号（行地址控制），以传送内存单元中的行地址。送出信号所花的时间就等于tCL（CAS Latency），一直到选择单元的内容送至内存芯片的输出缓存器（Output Register）上。

在BIOS之中，你可以为时序tRCD和tCL设置使用的时钟循环数目。这些设置值越小，电脑的性能就越好。只有最快的模块才有可能将CL设置为2.0甚至是1.5。

如果你所读取的是相同内存列的邻近数据，那么决定存取速度的唯一因素就是CL时序，因为控制器已经知道列的地址，不需要重新再搜寻一次。不论何时，当控制器必须在一个RAM芯片中寻址不同的列时，在列与列转换的时候，所花的时间就是tRAS（Row Active Time）。这个时间tRAS是随着tRP（RAS Precharge Time）而增加的，而tRP则是将回路充电至较高电压等级所花的时间。从另外一方面来说，即使是快速的内存模块，整个过程所花的时间最少也要7个时钟循环。

现在的DDR RAM芯片组被再次细部区分为4个部分（Banks），每个部份代表了一个独立的内存区。Bank Interleaving则是允许不同芯片上的Banks的内存区可以同步寻址，也因此增加了数据传输率。当数据被一个内存Bank读取时，另外一个Bank可以寻址一个新的数据区。你可以在BIOS中特别设置芯片中可以同时寻址多少RAM Banks。最快的设置是“4”。

超过1 GB以上的RAM所带来的顶级性能

另外一项重要的性能依据是你所安装的RAM数量。运行图像和视频的应用程序会因为更多的内存而显著提升性能。由Content Creation Winstone测试的读数已经证实，Windows 2000和XP将会因为系统的内存超过1 GB以上，整体的表现会大幅提升。而性能测试的结果显示，系统性能强烈依赖内存的数量。的确，对于快速的Windows XP系统来说，512 MB的RAM只能勉强达到最低标准。回想过去使用Windows 98和Me的久远年代，512 MB是主流系统所能安装的最大内存数量。

你所能安装的最大RAM数量端视你所使用的主板和芯片组而定。在下面的“内存支持”表中，你可以找到更多的信息。但是，不论你安装了多少内存，在x86系统中所允许的最大内存数量为3.5 GB。中央处理器没有办法寻址超过此数量的内存。超过的部分将会保留用作控制PCI回路。

你应该尽可能不要安装太多RAM模块。降低模块上的芯片数目也可以增强性能和稳定度。一般来说，一个模块由8或16个芯片组成。

你所使用的内存模块数目对于你的Command Rate将有直接的影响。Command Rate直接要求内存控制器所需的时钟循环数目，以激活模块和芯片组。如果你将所有的内存插槽装满，一般来说，你将会把时钟循环从1个循环增加到2个循环，以保持系统稳定。很可惜的是，这样做将会把性能降低最多3%。

作者: LEO 时间: 2004-1-19 20:09

RAM制造商

制造商网址
Corsair www.corsairmemory.com
Crucial www.crucial.com
Dataram www.dataram.com
Geil www.geil.com.tw
英飞凌 www.infineon.com
胜创 www.kingmax.com.tw
金士顿 www.kingston.com
美光 www.micron.com
Mushkin www.mushkin.com
三星 www.samsungsemi.com
创见 www.transcendusa.com
勤茂资通 www.twinmos.com
OCZ Technology www.ocztechnology.com

内存时序

将时序参数予以优化可以将整个处理程序加速，包括存取RAM在内。内存控制器首先决定它想要寻址的储存单元的列地址。行地址则是在时间tRCD之后与控制器作通话。当数据传输到输出缓存器时所使用的时间称为tCL。而经过时间tRAS加上tRP的等待之后，整个程序可以再重复一次。

作者: LEO 时间: 2004-1-19 20:10

主板芯片组支持的内存

芯片组内存类型1）最大内存数量
超微
扬智M1647 DDR2662） 3072 MByte
Nvidia Nforce DDR2663） 1536 MByte
Nvidia Nforce 2 DDR4003） 3072 MByte
SIS 735 DDR266 1024 MByte
硅统745 DDR333 1536 MByte
硅统746 DDR333 3072 MByte
硅统746FX DDR400 3072 MByte
威盛KT266A DDR266 2048 MByte
威盛KT333 DDR333 4092 MByte4）
威盛KT400 DDR333 4092 MByte4）
威盛KT400A DDR4003） 4092 MByte4）
英特尔
扬智M1671 DDR333 3072 MByte
扬智M1681 DDR400 3072 MByte
英特尔7205 DDR3333） 4092 MByte4）
英特尔845E DDR266 2048 MByte
英特尔845PE DDR333 2048 MByte
英特尔865P DDR333 4092 MByte4）
英特尔865PE DDR4003） 4092 MByte4）
英特尔875P DDR4003） 4092 MByte4）
硅统645 DDR333 3072 MByte
硅统648 DDR333 3072 MByte
硅统648FX DDR400 3072 MByte
硅统655 DDR3333） 4092 MByte4）
威盛P4X266A DDR266 4092 MByte4）
威盛P4X333 DDR333 4092 MByte4）
威盛P4X400 DDR333 4092 MByte4）
威盛P4T400 DDR400 4092 MByte4）

1）所支持的最快DDR RAM标准；DDR266 = PC2100；DDR333 = PC2700；DDR400 = PC3200
2）具有C1 stepping DDR333
3）双通道内存接口
4）可以使用3576 MB

作者: LEO 时间: 2004-1-19 20:10

如何在BIOS中调整你的RAM

主板的BIOS列表中提供了很多的设置，你可以用来对你的内存作优化。这些设置可以用来调校RAM的功能，不过基本上，这些功能经常以不同的名称出现。我们将会简短的解释这些设置选项。在括号中的是这个设置可以选用的值，理想值则是以底线标注。我们也将不同BIOS版本，但是功能相同的选项名称放在一起。不过请注意，并不是所有的BIOS列表都提供所有的设置选项。

Automatic Configuration“自动设置”（On/ Off）

（DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring）如果你要手动调整你的内存时序，你必须关闭这个让电脑为你设置的功能。

Bank Interleaving（Off/ 2/ 4）

（Bank Interleave）DDR RAM的内存芯片是由4个Bank所组成。经由Interleaving，同时对4个Bank作寻址，可以将性能提升到最高。

Burst Length“突发长度”（4/ 8）

这个选项所决定的是，在一个传输循环中，要送出多少数据区块。理想上，在目前Pentium 4和超微Athlon XP的中央处理器的L2 Cache（L2 快取）上，一次传输会填入一个内存列。一个内存列等于64位，或者是说8个数据封包（Data Packet）。

CAS Latency tCL“行地址控制器延迟时间”（1.5/ 2.0/ 2.5/ 3.0）

（CAS Latency Time、CAS Timing Delay）从已经寻址的行，到达输出缓存器的数据所需的时钟循环数。内存制造商将优化的可能设置值以CL Rating的方式作列表。

Command Rate CMD（1/ 2）

（Command Rate、MA 1T/2T Select）以要求的数据区间来寻址内存模块和内存芯片所需的时钟循环数。如果你的内存插槽已经全部插满，你必须将这个比值调整到2，不过这样会使得性能明显下降。

RAS Precharge Time tRP“列地址控制器预充电时间”（2/ 3）

（RAS Precharge、Precharge to active）对回路作预充电所需的时钟循环数，以决定列地址。

RAS-to-CAS Delay tRCD“列地址至行地址延迟时间”（2/ 3/ 4/ 5）

（RAS to CAS Delay、Active to CMD）在已经决定的列地址和已经送出行地址之间的时钟循环数。将这个设置值设成2可以将性能提高最多4%。

Row Active Time tRAS“列动态时间”（5/ 6/ 7）

（Active to Precharge Delay、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay）当一个内存芯片上两个不同的列逐一寻址所造成的延迟。

Memory Clock“内存频率”（100/ 133/ 166/ 200 MHz）

（DRAM Clock）指定内存总线的频率。这个指定的比率与前端总线频率有关。DDR技术（双数据率）可以经由实际的总线频率把数据速率加倍。

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