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标题: [HELP]谁能告诉两者的区别？ [打印本页]

作者: NtEnter 时间: 2005-5-1 22:39 标题: [HELP]谁能告诉两者的区别？

有趣的问题？

正面多了4样东西！有什么区别？

谢谢！

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作者: lessice 时间: 2005-5-2 00:57

据说同频的CELERON 2背面的电容越多性能越，逼近P3的性能，一个在网吧的人说，所以一般在网吧干的人想偷梁换柱，多喜欢要电容多的，OVERDRIVE不是也有电容，我个人感觉，每颗芯片的主频都有所差别，原因在于工艺，比如晶圆的中心切割的硅纯度高些，主频可能做的高些，为保障同批同频的U的性能和稳定性相同，所以略有区别，附加电容也许是弥补稳定性的缺陷。－－纯个人理解，请指教！

作者: swbswb999 时间: 2005-5-2 06:46

一样的，早出的四只电容在正面，晚出的电容就移到被面了。

作者: itvsfans 时间: 2005-5-2 10:58

以下是引用swbswb999在2005-5-2 6:46:27的发言：

一样的，早出的四只电容在正面，晚出的电容就移到被面了。

我看了~是啊~!

作者: 5号 时间: 2005-5-2 13:48

前者确实少见些，相对而已。

今天收了一块多出两个电阻的INTER486DX4-100 呵呵..研究中.....

作者: txg0327 时间: 2005-5-2 20:47

以下是引用swbswb999在2005-5-2 6:46:27的发言：

一样的，早出的四只电容在正面，晚出的电容就移到被面了。

而且电容的数量由4个变成了8个

正面有电容的比较少见，我只收集到了2个。

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