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    [问题]据说从晶圆中心切下的硅晶,更容易超频,为什么?

    楼主
    发表于 2004-6-14 23:25 | 只看该作者 | 正序看帖 | 打印

    如题

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    13#
    发表于 2004-6-17 16:51 | 只看该作者
    不太准确的说.硅晶体是从一个小的种子慢慢旋转长大的,越到后面硅晶体越有可能因为各种因素造成晶体内部结构不够一致.

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    12#
    发表于 2004-6-17 12:27 | 只看该作者
    以下是引用mauriceliu在2004-6-17 0:33:24的发言:

    应该和单晶硅结晶品质有关,和光刻没什么关系吧?

    你说的有道理的,我现在觉得晶圆的制作工艺,导致晶圆中心的晶体品质较高(晶体均匀)有关。但也只是设想,有待进一步讨论和相关材料佐证

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    11#
    发表于 2004-6-17 00:33 | 只看该作者
    以下是引用wuyuetiger在2004-6-16 16:44:59的发言: 20英寸的晶圆要量产了吧,xiongGQ一点没说错,CPU靠光刻技术烧刻出来的,就是用的紫外线和复杂的透镜系统(现在有新技术是用平面镜的),一台光刻机可是价值不菲.既然用了透镜,那中央的误错应该相对小点的,成品率会高.再成熟的光刻技术都会产生一定量的废品或次品,原因就是空气中的杂质所致.

    应该和单晶硅结晶品质有关,和光刻没什么关系吧?

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    10#
    发表于 2004-6-16 23:20 | 只看该作者
    以下是引用wuyuetiger在2004-6-16 16:44:59的发言: 20英寸的晶圆要量产了吧,xiongGQ一点没说错,CPU靠光刻技术烧刻出来的,就是用的紫外线和复杂的透镜系统(现在有新技术是用平面镜的),一台光刻机可是价值不菲.既然用了透镜,那中央的误错应该相对小点的,成品率会高.再成熟的光刻技术都会产生一定量的废品或次品,原因就是空气中的杂质所致.
    记错了,确实是12英寸的晶圆,现在的技术还造不了20英寸的,12英寸相当于300毫米

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    9#
    发表于 2004-6-16 21:28 | 只看该作者
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    逝者如厮U。我思故我在。[URL=http://uc71385012.anyp.cn/]【我的主页】[/URL][URL=http://wala_hb.photo.163.com/]【我的相册】[/URL][URL=http://shop33458364.taobao.com/]【我的淘宝店铺】[/URL]

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    8#
    发表于 2004-6-16 17:51 | 只看该作者
    看来不能想当然[em01]

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    7#
    发表于 2004-6-16 16:44 | 只看该作者
    20英寸的晶圆要量产了吧,xiongGQ一点没说错,CPU靠光刻技术烧刻出来的,就是用的紫外线和复杂的透镜系统(现在有新技术是用平面镜的),一台光刻机可是价值不菲.既然用了透镜,那中央的误错应该相对小点的,成品率会高.再成熟的光刻技术都会产生一定量的废品或次品,原因就是空气中的杂质所致.

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    6#
    发表于 2004-6-16 16:13 | 只看该作者
    以下是引用wuyuetiger在2004-6-14 23:25:54的发言:

    如题

    这可以从硅晶圆的生产难度解释。

    现在好象是12英寸了吧,记得懂事时我国生产出6英寸硅单晶曾大大宣传一番,可见越大越难做,且需要更苛刻的温度压力触媒等吧,所以晶圆中心的硅原子(晶格?)的亲和度要比边上的高,所以超频能力要强。

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    5#
    发表于 2004-6-16 15:45 | 只看该作者
    以下是引用XiongGQ在2004-6-16 8:55:59的发言: 有点道理,象CRT显示器,中间的比四周的聚焦要好,做晶圆应该也差不多吧,都是透镜原理,只不过显象管是电子透镜,光刻机的是光学透镜吧。

    有点不着四六,呵呵

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