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    [问题]据说从晶圆中心切下的硅晶,更容易超频,为什么?

    楼主
    发表于 2004-6-14 23:25 | 显示全部帖子 | 倒序看帖 | 打印

    如题

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    沙发
    发表于 2004-6-16 12:04 | 显示全部帖子

    我是从某杂志上看来的,现在找不到出处了

    当时讨论的是AMD的64位芯片,据说看CPU的编号部分能区分CPU的die是位于晶圆的具体位置,那部分的数字越小就越接近晶圆中心

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    板凳
    发表于 2004-6-16 16:44 | 显示全部帖子
    20英寸的晶圆要量产了吧,xiongGQ一点没说错,CPU靠光刻技术烧刻出来的,就是用的紫外线和复杂的透镜系统(现在有新技术是用平面镜的),一台光刻机可是价值不菲.既然用了透镜,那中央的误错应该相对小点的,成品率会高.再成熟的光刻技术都会产生一定量的废品或次品,原因就是空气中的杂质所致.

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    地板
    发表于 2004-6-16 23:20 | 显示全部帖子
    以下是引用wuyuetiger在2004-6-16 16:44:59的发言: 20英寸的晶圆要量产了吧,xiongGQ一点没说错,CPU靠光刻技术烧刻出来的,就是用的紫外线和复杂的透镜系统(现在有新技术是用平面镜的),一台光刻机可是价值不菲.既然用了透镜,那中央的误错应该相对小点的,成品率会高.再成熟的光刻技术都会产生一定量的废品或次品,原因就是空气中的杂质所致.
    记错了,确实是12英寸的晶圆,现在的技术还造不了20英寸的,12英寸相当于300毫米

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    5#
    发表于 2004-6-17 12:27 | 显示全部帖子
    以下是引用mauriceliu在2004-6-17 0:33:24的发言:

    应该和单晶硅结晶品质有关,和光刻没什么关系吧?

    你说的有道理的,我现在觉得晶圆的制作工艺,导致晶圆中心的晶体品质较高(晶体均匀)有关。但也只是设想,有待进一步讨论和相关材料佐证

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